12-слойная HBM4E от Samsung, по сообщениям, прошла квалификацию у Nvidia

Двенадцатислойная память Samsung HBM4E, как сообщается, прошла квалификационные тесты у Nvidia и нескольких крупных гиперскейлеров. Об этом пишет ComputerBase со ссылкой на корейское издание Hankyung. По данным TechPowerUp, память прошла тестирование для семейства ИИ-ускорителей Nvidia Rubin Ultra.[1][2]

iXBT.com ссылается на Naver: по его данным, чипы прошли испытания у Nvidia и ряда других крупных игроков рынка в конце сентября. Первые тестовые образцы новой памяти Samsung поставила в конце мая этого года, напоминает ComputerBase.[3][4]

Как пишет TechPowerUp, у HBM4E от Samsung 2048 контактов на стек, а каждый контакт сейчас работает на скорости 14 Гбит/с. Максимальная пропускная способность при этом составляет 3,6 ТБ/с, а при 16 Гбит/с вырастет до 4 ТБ/с на стек. По оценке iXBT.com, 3,6 ТБ/с более чем на 20% выше, чем у HBM4. Память сочетает DRAM шестого поколения 10-нанометрового класса с логическим кристаллом, который Samsung Foundry выпускает по техпроцессу 4 нм.[5][6][7][8]

Сейчас Samsung предлагает 12-слойные стеки объёмом 48 ГБ. По данным TechPowerUp, клиентам в будущем понадобятся и 8-слойные стеки на 32 ГБ, и 16-слойные на 64 ГБ.[9]

С предыдущим поколением у Samsung не сложилось. По словам TechPowerUp, её HBM3E не соответствовала требованиям Nvidia, и та выбрала Samsung только как поставщика GDDR7.[10]